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Figure 9: DÉPÔTS PVD [22] Les dépôts PVD utilisent tous les techniques possibles permettant la limitation de la taille de la pièce à traiter et l’augmentation du coût du traitement ce qui nous permet d’avoir une qualité du dépôt la plus meilleure. Evaporation thermique: Le traitement des pièces de géométrie complexe est très difficile vu que le flux d’atomes ou de molécules du corps à déposer est très directif. Pour élaborer des alliages on procède à une évaporation directe d’un alliage « mère » ou à une Co-évaporation de tous les constituants formant l’alliage désiré mais pour certains composés tels que TiO2, TiN, CdS… on procède l’évaporation réactive. Dépôt ionique: (Ion Plating). On confère une énergie de plus en plus grande aux particules vaporisées, excitées et même ionisées grâce à la création d’un plasma soit d’argon soit de gaz réactif entre la source d’évaporation et le porte-substrat. Pulvérisation cathodique: (Sputtering) L’arrachement des atomes du matériau se fiat par un bombardement de particules énergétiques qui sont en général des ions Ar+. Afin d’augmenter la qualité et la vitesse des dépôts on modifie le système diode (diode radiofréquence, triode, cathode magnétron…). La pulvérisation réactive est souvent utilisée pour les dépôts de composés tels que les nitrures, les oxydes, les sulfures. 29