Détecteur d’approche par capteur à effet hall estm ce projet met

Détecteur d’approche par capteur à effet HALL ESTM Supposons d’abord qu’une tension continue soit appliquée à un bloc conducteur en matière ordinaire à l’aide de deux plaques AA’ et BB’. Dans ce cas, le courant traversant ce bloc est formé d’électrons circulant de BB’ vers AA’.Plaçons ensuite le bloc dans un champ magnétique uniforme, créé par un aimant, de façon que les lignes de flux soient perpendiculaires au bloc. Les électrons circulant dans le bloc sont influencés par le champ magnétique et tendent à se déplacer dans une direction perpendiculaire à celle de leur propre mouvement et des lignes du champ magnétique. Dans le cas illustré (fig.A.19) où les électrons se dirigent de BB’ vers AA’ alors que les lignes de force vont du haut (pôle nord) vers le bas (pôle sud), les charges tendent à se déplacer sur la droite de leur mouvement initial. Il en résulte que ces charges (électrons) ne sont plus uniformément réparties dans le bloc, mais se concentrent sur le côté A’B’. Cette accumulation des électrons produit un effet qui peut être mis en évidence par un voltmètre très sensible. En effet, en branchant l’appareil comme indiquéfig.A.19, on mesure une différence de potentiel électrique : le côté A’B’ est négatif par rapport au côté AB. Cette différence de potentiel provient évidemment de la concentration des électrons du côté A’B’. L’effet HALL consiste précisément en cette déformation des lignes de courant (flux d’électrons), dans une plaque conductrice sous l’effet d’un champ magnétique perpendiculaire à cette plaque. Cet effet se vérifie encore dans le cas d’un bloc semi- conducteur N, du fait que ce sont les électrons qui forment le flux de courant le plus important. Par contre, avec un bloc semi-conducteur du type P (fig.A.20), la tension indiquée par le voltmètre est de polarité opposée à celle que l’on avait avec le bloc conducteur ordinaire ou le semi-conducteur N. Ce résultat ne peut être expliqué que si l’on admet que les charges mobiles sont positives dans le cas du semi-conducteur du type P. GE2 page : 17 Année universitaire2007/2008