Détecteur d’approche par capteur à effet hall estm ce projet met

Détecteur d’approche par capteur à effet HALL ESTM Fig. A.20 Elles seront décalées, sous l’action du champ magnétique, vers la gauche du sens de leur défilement qui est contraire à celui des électrons de la fig.A.19. Cette concentration de trous sur la face A’B’ entraîne, elle aussi, une polarité inverse de celle qui était présente dans le cas d’un conducteur ordinaire ou d’un semi- conducteur. Ainsi, on confirme expérimentalement que les trous (charges positives) forment le courant circulant dans les semi-conducteurs du type P. A l’aide de l’effet HALL, on a également pu mesurer la mobilité des charges dans les deux types de semi-conducteur. La mobilité exprime, en centimètre par seconde (cm / s), la vitesse des charges qui se déplacent dans un cube de semi-conducteur de 1 cm d’arête lorsque la tension appliquée sur deux faces opposées est de 1 volt. Cette mesure a permis de déterminer que les électrons ont une mobilité supérieure à celle des trous (encore appelés cavité ou lacune).La moyenne de vie des trous et des électrons libres est un paramètre important à ne pas négliger ; elle correspond à l’intervalle de temps qui s’écoule entre le moment où dans le semi-conducteur la concentration des trous et des électrons libres subit une variation, et celui où elle revient à la conduction d’équilibre. 3)Théorie de HALL sur un semi-conducteur (cristal) On sait que dans un cristal semi-conducteur la conduction est assuré soit par les trous(P) lorsqu’ils sont majoritaires (p>>n) ou par les électrons (n>>p). L’effet HALL est un phénomène générale, GE2 page : 18 Année universitaire2007/2008