Détecteur d’approche par capteur à effet hall estm ce projet met


Détecteur d’approche par capteur à effet HALL ESTM cependant c’est dans les semi-conducteurs que son amplitude est la plus marquée. Considérons un cristal semi- conducteur homogène de type p (figure de droite) de forme parallélépipédique oriente selon le système d’axe trirectangle classique, traverse par un courant de trous selon Oy, d’intensite i provoquant un champ interne Ey et plongé dans un champ magnétique d’induction Bz oriente selon Oz. Fig. A.21 Selon la théorie élémentaire de la conductivité, les trous acquièrent une vitesse moyenne d’entrainement parallèle à Ey de valeur :

, Avec µP la mobilité

On sait que la force de Lorenz est donné par : F=qv ^ B

V est suivant Oy et B suivant Oz donc leur produit vectoriel nous donne Ox

avec le signe moins d’où la relation suivante :

F= -q*Vm*B*Ox

Cette force est dirigée vers la gauche. Il en résulte une tendance a l’accumulation de charges positives sur la face gauche, et symétriquement l’apparition des charges négatives sur la face droite pour équilibrer le cristal ce qui

se traduit par un champ électrique transversal Eh, et puisque le champ dérive d’un

potentiel on a: Vh =Eh*dx=Lx*Eh ,Vh est dite tension de Hall L’équation de l’équilibre est traduit par : GE2 page : 19 Année universitaire2007/2008

Vm=µP*EY

X Y Z

Laisser un commentaire